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Si4542DY
Vishay Siliconix
P-CHANNEL TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless otherwise noted
40
10
T J = 150 °C
0.20
0.16
0.12
I D = 6.1 A
1
T J = 25 °C
0.08
0.04
0.00
0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
2 4 6 8
10
0.8
0.6
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
30
25
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.4
0.2
0.0
- 0.2
I D = 250 μA
20
15
10
5
- 0.4
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.01
0.10
1.00
10.00
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
t 2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
P DM
t 1
t 1
1. Duty Cycle, D =
t 2
2. Per Unit Base = R thJA = 62.5 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
30
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?70666 .
www.vishay.com
6
Document Number: 70666
S09-0868-Rev. G, 18-May-09
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